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    上述r1及r2分别**地为氢、羟基、氨基、卤素、氨基c1-20烷基、氨基c1-20烷氧基、c1-20烷基、c1-20烷氧基或它们的组合；选自上述r3及r4中的至少一种为聚磷酸基，另一种为氢、羟基、氨基、卤素、c1-20烷基、c1-20烷氧基或它们的组合或聚磷酸基；上述l1为c1-20亚烷基，上述亚烷基的-ch2-能够由-o-、-s-s-、-c(＝o)-、-nr'-、-sir'r'-o-sir'r'-或-nr'-c(＝o)-nr'-代替，上述r'为氢或甲基；上述a及b分别**地为1或2的整数，选自上述r1至r4中的重复的取代基可以相同或不同。作为一具体实施方式，上述硅化合物可以是如下的硅化合物，即，在上述化学式2及化学式3中，选自上述r14及r15中的至少一种为聚磷酸基，另一种为氢、羟基、氨基、卤素、c1-20烷基、c1-20烷氧基或它们的组合或聚磷酸基。作为一具体实施方式，上述硅化合物可以是如下的硅化合物，即，在上述化学式2及化学式3中，上述r11至r13及r16分别**地为氢、羟基、氨基、卤素、氨基c1-7烷基、氨基c1-7烷氧基、c1-7烷基、c1-7烷氧基或它们的组合，或者包含***基、磷酸基、聚磷酸基或它们的组合的是一价取代基；选自上述r14及r15中的至少一种为聚磷酸基。菏泽做纳米彩钢铝膜比较好的厂家。***山东鸣展包装材料有限公司诚信为本

    相对于上述氮化硅膜蚀刻组合物总重量，可包含，具体地，可包含，更具体地，可包含。并且，本发明一实施例的氮化硅膜蚀刻组合物还可包含氟类化合物。当添加上述氟类化合物时，可提高氮化硅膜的速度，即使在重复使用之后，对氮化硅膜的蚀刻速度及蚀刻选择比的变化也可能很少。上述氟类化合物可以是选自由氟化氢(hydrogenfluoride)、氟化铵(ammoniumfluoride)、氟化氢铵(ammoniumbifluoride)及四氟硼酸(tetrafluoroboricacid)等组成的组中的一种或两种以上的混合物。作为一例，相对于上述氮化硅膜蚀刻组合物总重量，可包含，具体地可包含，更具体地，可包含。另外，本发明一实施例的氮化硅膜蚀刻组合物还可包含额外的添加剂。具体地，上述额外的添加剂可以是醇类溶剂。当添加上述醇类溶剂时，可调节氮化硅膜蚀刻组合物的粘度，即使在半导体制造工艺中的高温下也可以获得稳定的效果。并且，尽管使用多次上述氮化硅膜蚀刻组合物时，对氮化硅膜的蚀刻速度变化率低，因此工序效果良好。上述醇类溶剂可以是选自由甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、叔丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇及四氢糠醇(thfa)等组成的组中的一种或两种以上的混合物。作为一例。枣庄口碑好山东鸣展包装材料有限公司河间批发铝塑复合膜生产厂家。

    棱柱73直接形成于承载层71上。如图2和图9，棱柱13和73的顶端均为尖角设置。其他实施例中，如图10中，棱柱83的顶端为圆弧设置，即***侧面831和第二侧面832通过弧面连接，使得光学效果更为清晰，明亮；如图11中，棱柱93的顶端为多波段随机设置，使得光学效果相对较为柔和。进一步的，请参图12，装饰膜100还包括基材层14、反射层15和着色层16。承载层11设置于基材层14，反射层15覆盖于微纳结构层，着色层16覆盖于反射层15。基材层为pet、pc、pi、cpi、pmma等单层或复合层，反射层15通过涂布或镀膜方式形成，具有加强光学效果和/或延伸显示的作用，着色层16通过丝印油墨的方式成型于反射层15上，一般为深色或黑色的油墨，具有打底和辅助显色的作用。请参图13，本发明还揭示一种装饰盖板300，其包括壳体17和通过粘结层18粘结的装饰膜100。壳体17为玻璃、蓝宝石玻璃等透明材质层，粘结层为oca、uv等粘性胶材料。本发明的装饰膜和具有装饰膜的装饰盖板均利用单根棱条的***夹角、第二夹角、第三夹角变化设置，或者加以复数棱条的组合变化，使得制成的装饰膜和装饰盖板的光学效果更加多变，更加美观，用户拥有更多的选择性；能呈现较为复杂和多变的光学效果，且工艺性好、效果可靠。

    除此之外，尽管可使用含有直接键合到硅的氧原子的硅化合物来控制蚀刻选择比的方法，但是，相对于氧化硅膜，氮化硅膜的蚀刻选择比不高且可产生析出物，因此需要开发能够以高选择比蚀刻氮化硅膜且不产生析出物的蚀刻组合物。技术实现要素：本发明的目的在于，提供针对于氮化硅膜具有高蚀刻选择比的氮化硅膜蚀刻组合物。本发明的另一目的在于，提供一种氮化硅膜蚀刻组合物，即使蚀刻处理时间增加或重复使用，对氮化硅膜的蚀刻速度和蚀刻选择比的变化少的稳定的氮化硅膜蚀刻组合物。本发明的另一目的在于，提供进行蚀刻时不产生析出物的氮化硅膜蚀刻组合物。本发明的另一目的在于提供利用氮化硅膜蚀刻组合物蚀刻氮化硅膜的方法及半导体元件的制造方法。为了解决如上所述的技术问题，提供包含磷酸、包含由下述化学式1表示的结构单元的硅化合物及余量的水的氮化硅膜蚀刻组合物。化学式1：在上述化学式1中，r1及r2分别**地为氢、羟基、氨基、卤素、c1-20烷基、c1-20烷氧基或它们的组合；r3及r4分别**地为包含***基、磷酸基、聚磷酸基或它们的组合的一价取代基；l1为c1-20亚烷基，上述亚烷基的-ch2-能够由-o-、-s-、-c(＝o)-、-nr'-、-sir'r'-或它们的组合代替。徐州批发铝塑复合膜生产厂家。

    所述滚刀在主膜的对折侧滚出对折虚线，且对折虚线在主膜的上、下两膜呈相对应设置。可选的，所述点烫装置具体为三角烫块，所述三角烫块将侧风琴料的头部点烫在主膜上。可选的，所述模板成形装置包括压板模块、插底内模板、辅助压轮、上模板、下模板和压模板，所述辅助压轮用于按对折虚线将主膜底部翻折，并将主膜底部折边进行夹持，使主膜底部折边保持固定，所述插底内模板用于将主膜底部撑开，所述压板模块分列上下两侧，用于将主膜底部折边沿侧面压平。可选的，所述上模板和下模板分别位于主膜上、下两膜外部，用于将主膜底部折边重新折回，所述压模板用于压主膜底部折边。本实用新型提供了一种上下膜一体式包装袋的加工设备，具备以下有益效果：该上下膜一体式包装袋的加工设备，采用单层膜作为包装袋原料，取代了传统包装袋加工中采用两层膜原料的生产方式，不需要将两层膜料进行压烫，也就不会造成包装袋压合处出现偏斜或未压牢的问题，极大地提高了包装袋成品的牢固度；采用单层膜作为原料，更是将包装袋的材料损耗降至比较低，减少了包装袋生产过程中，因裁边所造成的大量废料的产生；该加工设备动作连续，并将传统的压烫环节进行取代和简化，有助于缩短生产流水线。菏泽铝塑复合膜生产厂家。威海山东鸣展包装材料有限公司按需定制

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    本发明涉及氮化硅膜蚀刻组合物，利用其的氮化硅膜的蚀刻方法及半导体元件的制造方法。背景技术：氧化硅氧化硅膜(sio2)及氮化硅膜(sinx)是用于半导体制造工序的**性绝缘膜。其中，氮化硅膜用于半导体设备中的盖层、间隔层或硬膜层。单独使用氧化硅膜及氮化硅膜，或者交替地层叠一层以上的氧化硅膜和一层以上的氮化硅膜来使用。氮化硅膜的蚀刻在160℃左右的高温下使用高纯度的磷酸和去离子水的混合物来进行。但是，由于高纯度的磷酸对氧化硅膜的氮化硅膜的蚀刻选择比下降，因此存在难以应用于氮化硅膜与氧化硅膜的层叠结构的问题。并且，包含磷酸的氮化硅膜蚀刻组合物在高温下因持续性地蒸发水分而浓缩，从而影响氮化膜和氧化膜的蚀刻率，因此必须持续供应纯水(去离子水(deionizedwater))。但是，即使供应的纯水的量发生微小变化，也可导致去除氮化硅膜时的缺点，磷酸本身作为强酸具有腐蚀性，因此存在难以处理的问题。为了解决上述问题并提高对氧化硅膜的氮化硅膜的蚀刻选择比，可使用将硅酸溶解于磷酸的氮化硅膜蚀刻组合物。但是，由于上述氮化硅膜蚀刻组合物在进行蚀刻时产生析出物，且反而氧化硅膜的厚度增加的异常生长(anomalousgrowth)问题，存在难以应用于工序的问题。***山东鸣展包装材料有限公司诚信为本