东营**山东鸣展包装材料有限公司

    上述r'分别**地为氢或c1-20烷基；a及b分别**地为1或2的整数，选自上述r1至r4的重复的取代基可以相同或不同。上述硅化合物可以为选自下述化学式2及化学式3的化合物中的至少一种：化学式2：化学式3：在上述化学式2及化学式3中，r11至r13及r16分别**地为氢、羟基、氨基、卤素、c1-7烷基、c1-7烷氧基或它们的组合或者包含***基、磷酸基、聚磷酸基或它们的组合的一价取代基；r14及r15分别**地为包含***基、磷酸基、聚磷酸基或它们的组合的一价取代基；l1为c1-20亚烷基，上述亚烷基的-ch2-能够由-o-、-s-、-c(＝o)-、-nr'-、-sir'r'-或它们的组合代替，上述r'分别**地为氢或c1-7烷基；l2为包含-o-、-o-s(＝o)2-、-o-p(＝o)(or")-或它们的组合的二价取代基，上述r"为氢或c1-7烷基；n为1至5的整数，在上述n为2以上的整数的情况下，重复的取代基可以相同或不同。在上述化学式2及化学式3中，上述l1为c1-20亚烷基，上述亚烷基的-ch2-能够由-o-、-s-s-、-c(＝o)-、-nr'-、-sir'r'-o-sir'r'-或-nr'-c(＝o)-nr'-代替，上述r'分别**地为氢、甲基或乙基；上述l2可以是由下述化学式4表示的二价取代基。化学式4：在上述化学式4中，r"为氢或c1-7烷基；a及b分别**地为0至5的整数。淄博批发纳米彩钢铝膜生产厂家。东营**山东鸣展包装材料有限公司

    上述亚烷基的-ch2-能够由-o-、-s-、-c(＝o)-、-nr'-、-sir'r'-或它们的组合代替，上述r'分别**地为氢或c1-7烷基；l2为包含-o-、-o-s(＝o)2-、-o-p(＝o)(or")-或它们的组合的二价取代基，上述r"为氢或c1-7烷基；n为1至5的整数，在上述n为2以上的整数的情况下，重复的取代基可以相同或不同。在包含上述结构的硅化合物的氮化硅膜蚀刻组合物中，如上所述，具有得以提高的对氮化硅膜的蚀刻速度，***对氮化硅膜的蚀刻速度减少率和蚀刻选择比的变化，并对防止生成析出物有效。另外，本发明一实施例的氮化硅膜蚀刻组合物中上述化学式2及化学式3的上述l1为c1-20亚烷基，上述亚烷基的-ch2-能够由-o-、-s-s-、-c(＝o)-、-nr'-、-sir'r'-o-sir'r'-或-nr'-c(＝o)-nr'-代替，上述r'分别**地为氢、甲基或乙基；上述l2可包含由下述化学式4表示的二价取代基。化学式4：在上述化学式4中，r"为氢或c1-7烷基；a及b分别**地为0至5的整数。作为一例，上述化学式2及化学式3的上述l1可以为c1-7亚烷基。作为一例，上述化学式2及化学式3的上述l1可以为c1-3亚烷基。作为一例，上述化学式2及化学式3的上述l1可具有c1-20亚烷基和上述亚烷基的任何-ch2-被-o-、-s-s-、-c。东营**山东鸣展包装材料有限公司成武批发纳米彩钢铝膜厂家。

    首先依次使用400目、800目、1000目砂纸打磨，然后用抛光粉抛光，将待加工部位的粉尘用蒸馏水冲洗干净之后，浸于**中进行超声波清洗除油5min~2h，***置于***溶液中进行表面侵蚀5s~2min，用蒸馏水清洗干净表面***溶液，烘干待用。（2）进行***电化学原位生成法制备氧化铝膜，将（1）中所得预处理过的铝质电池壳体的待加工部位浸入电解槽中的浓度介于***电解液内，以惰性电极作阴极、铝壳作阳极，控制电解环境在之间±2℃，以20ma~100ma电流条件下对阳极进行原位生成1h~3h，得到厚度约为10μm的氧化铝膜。（3）进行二次电化学原位生成法制备氧化铝膜，以惰性电极作阴极、以步骤（2）中所得到的初步形成一定厚度氧化铝膜的铝质电池壳体的待加工部位作阳极，所用电解液为浓度介于3mol/l~5mol/l的***溶液，电解槽温度控制在10℃~30℃之间，原位生成的电流为500ma~1a之间，原位生成的时间为3h~5h，再次制得厚度约为20μm的致密的氧化铝膜；（4）将附有两次原位生成法制备的氧化铝膜的铝质电池壳体置于ph=5~7的去离子水中，控制温度85℃~100℃，进行封孔操作30min~1h。（5）将经原位生成法处理过的电池壳体用于锂电池的生产，经过装入电芯、安装预处理过的盖帽之后。

    所述滚刀在主膜的对折侧滚出对折虚线，且对折虚线在主膜的上、下两膜呈相对应设置。可选的，所述点烫装置具体为三角烫块，所述三角烫块将侧风琴料的头部点烫在主膜上。可选的，所述模板成形装置包括压板模块、插底内模板、辅助压轮、上模板、下模板和压模板，所述辅助压轮用于按对折虚线将主膜底部翻折，并将主膜底部折边进行夹持，使主膜底部折边保持固定，所述插底内模板用于将主膜底部撑开，所述压板模块分列上下两侧，用于将主膜底部折边沿侧面压平。可选的，所述上模板和下模板分别位于主膜上、下两膜外部，用于将主膜底部折边重新折回，所述压模板用于压主膜底部折边。本实用新型提供了一种上下膜一体式包装袋的加工设备，具备以下有益效果：该上下膜一体式包装袋的加工设备，采用单层膜作为包装袋原料，取代了传统包装袋加工中采用两层膜原料的生产方式，不需要将两层膜料进行压烫，也就不会造成包装袋压合处出现偏斜或未压牢的问题，极大地提高了包装袋成品的牢固度；采用单层膜作为原料，更是将包装袋的材料损耗降至比较低，减少了包装袋生产过程中，因裁边所造成的大量废料的产生；该加工设备动作连续，并将传统的压烫环节进行取代和简化，有助于缩短生产流水线。徐州批发铝塑复合膜生产厂家。

    所述变化为线性变化或非线性变化。其中一个实施例中，所述棱条的***侧面和第二侧面的夹角为第三夹角；单根棱条中，所述***夹角、第二夹角和第三夹角均存在变化或其中一个为定值。其中一个实施例中，复数所述棱条中，所有棱条的***夹角、第二夹角和第三夹角具有相同的设置；或者，至少两根所述棱条的***夹角、第二夹角和第三夹角存在不同的设置。其中一个实施例中，平行于排布方向的截面上，所述复数棱条的***夹角和/或第二夹角变化设置。其中一个实施例中，所述棱条凸起和/或凹陷设置且高度或深度为h，宽度为w；单根所述棱条中，沿所述棱条的延伸方向，h和/或w变化设置。其中一个实施例中，复数所述棱条中，所有棱条的h、w相同设置；或者，至少两根所述棱条的h、w存在不同的设置。其中一个实施例中，所述h、w的变化为变大、变小、先变大后变小、先变小后变大，间隔变化、阶段变化或随机变化。其中一个实施例中，所述棱条为直线、折线或曲线。其中一个实施例中，所述棱条的***侧面和第二侧面尖角连接、弧度连接或不规则连接。本发明还揭示一种装饰盖板，用于电子产品，所述装饰盖板包括如上述所述的装饰膜。本发明的有益效果：单根棱条的***夹角和/或第二夹角变化设置。菏泽做压花铝箔比较好的厂家。东营**山东鸣展包装材料有限公司

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    例如，na、k等)，上述rb可以为氢或c1-20烷基。本说明书的术语“聚磷酸基”是指至少两个分子的磷酸缩合的形式。本说明书的术语“卤素”是指氟、氯、溴或碘原子。本说明书的术语“氨基”是指-nh2。此时，上述氨基可与烷基等组合形成单烷基氨基或二烷基氨基。众所周知，氮化硅膜及氧化硅膜是用于半导体制造工序的**性绝缘膜。在半导体工序中氮化硅膜是与氧化硅膜、聚硅膜、硅晶片表面等接触的结构，主要通过化学气相蒸镀(chemicalvapordeposition，cvd)工序蒸镀，并通过蚀刻去除。以往的湿式蚀刻对氧化硅膜与氮化硅膜的蚀刻选择比下降，当蚀刻液使用多次时，存在蚀刻选择性发生变化的问题。并且，存在执行蚀刻时产生析出物且氧化硅膜的厚度增加的问题。为此，本发明人为了解决上述的问题，深入研究了具有蚀刻选择比进一步得以提高的氮化硅膜蚀刻组合物。其结果，在用包含含有至少一种***基、磷酸基或它们的组合作为末端取代基的规定硅化合物的组合物处理时，发现相对于氧化硅膜，对氮化硅膜的蚀刻选择比***，并且不产生析出物。另外，相对于氧化硅膜，本发明的氮化硅膜蚀刻组合物对氮化硅膜显示出优异的蚀刻选择性、高稳定性，因此即使处理时间及处理次数增加。东营**山东鸣展包装材料有限公司

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