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时间:2020年09月04日 来源:

    这*为具体的一例,并不限定于此。在本发明一实施例的利用氮化硅膜蚀刻组合物的蚀刻方法及包含其的半导体元件的制造方法中,在上述提及的氮化硅膜和氧化硅膜共存在情况下,可以相对于氧化硅膜*选择性地蚀刻氮化硅膜,蚀刻速度快,蚀刻后不产生析出物,从而可使制造半导体元件中的缺点问题**小化。另外,本发明的氮化硅膜蚀刻组合物具有高温稳定性,经高温加热的磷酸可有效***蚀刻氧化硅膜的问题。因此,由于氧化硅膜的蚀刻未产生析出物而能够防止基板缺点,可选择性地蚀刻氮化硅膜,从而可实现***的半导体元件的特性。利用前述的氮化硅膜蚀刻组合物的、相对于氧化硅膜选择性蚀刻氮化硅膜的方法可根据本领域中通常使用的处理方法来进行。作为非限定性的一例,可根据将基板浸渍于蚀刻组合物溶液的方法或喷射(spray)方法等来进行。作为一例,上述方法可在100℃以上的工序温度下进行,具体地可在100℃至500℃的温度下进行,更具体地可在100℃至300℃的工序温度下进行。在形成于基板上的氧化硅膜、氮化硅膜及光阻膜等共存的情况下,上述方法可能有利于相对于氧化硅膜*选择性地快速蚀刻氮化硅膜,并***析出物的产生。上述基板可使用多种物质,例如。滨州批发纳米彩钢铝膜生产厂家。安全山东鸣展包装材料有限公司源头好货

    为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,上面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在上面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于上面描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受上面公开的具体实施例的限制。并且,以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例*表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。德州山东鸣展包装材料有限公司推荐产品河北批发铝塑复合膜生产厂家。

    对于高性能中波红外硬质保护薄膜窗口的制备具有重要的作用。本发明对于不同离子源参数制备si3n4薄膜具有普适性。附图说明图1为离子束溅射技术制备si3n4薄膜工作示意图;图2为石英基底上si3n4薄膜的可见光-近红外透过率曲线图;图3为si基底上si3n4薄膜的红外透过率曲线图;图4为si3n4薄膜的折射率曲线图;图5为si3n4薄膜的消光系数曲线图;图6为si3n4薄膜的硬度曲线图。具体实施方式为使本发明的目的、内容、和优点更加清楚,下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。本发明提供了一种高硬度低吸收si3n4薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)首先选择si靶作为离子束溅射沉积靶材,选择熔融石英和si基底作为si3n4薄膜的沉积基底;2)采用双离子束溅射沉积技术,选择镀膜真空室本体真空度为m×10-6torr(1≤m≤50),真空室氮气流量为xsccm(10≤x≤50),辅助离子源氮气流量为ysccm(0≤y≤50),主离子源工作参数:工作电压为u1(600v≤u1≤1500v),工作电流为i1(200ma≤i1≤900ma);辅助离子源工作参数:工作电压为u2(150v≤u2≤600v),工作电流为i2(100ma≤i2≤400ma),在熔融石英和si基底上制备si3n4薄膜。

    镀膜质量的关键是底漆层质量。虽有无底涂镀膜,但其模具质量要求和成本高,存在镀铝反射亮度不足和塑件缺点等问题,易导致镀铝产品报废率居高不下。一般而言,无底涂的报废率在10%左右,有底涂在20%左右,甚至会更高。为解决这一困惑,国内有厂家经过10多年的努力,采用了炉内喷涂底漆并固化使镀件生成高亮的表面(无污染残留物),进行高压离子清洗预处理,真空蒸发镀铝和镀保护膜,使产品的合格率在98%以上,每年可节省大量的喷漆、烤漆能耗和人工成本等。但新设备所需费用比同容量常规设备高很多,令中小厂家难以接受,推广有一定的难度。中小厂家选择靠人为控制来维系生产,报废率仍然较高。从灯具镀铝镀膜发展来看,采用极性高分子材料或免底涂材料,在提高模具质量和光亮度的前提下,无底涂镀膜是未来发展的趋势,有利于车灯制造的需要。目前真空镀铝多采用电阻蒸发源蒸镀法,但已有电子束蒸发源蒸镀法、高频感应蒸发源蒸镀法、激光束蒸发源蒸镀法涌现,其中电子束蒸发源蒸镀法将是真空镀铝技术中重要的加热方式和发展方向。总之,真空镀铝膜是灯具塑件表面加工必不可少的加工工艺,将在灯具制造领域中得到更加广阔的发展空间。山东包装材料有哪些好的公司?

    自2009年开始,中国包装工业总产值超过日本,成为仅次于美国的全球第二大包装工业大国,根据SmithersPira公司预测,到2017年中国可能将接替美国居**。历经20余年的发展,中国包装产业目前已建立起以纸、塑料、玻璃、金属、包装印刷、包装机械为主,拥有一定现代技术装备、门类比较齐全的现代包装工业体系,基本能够满足国内消费和商品出口的需求,为保护商品、方便物流、促进销售、服务消费发挥了重要作用。根据中商情报网的统计资料显示,中国包装工业的总体产值从2005年的4,017亿元增长至2015年的16,900亿元,年复合增长率约。过去十年间,我国包装工业中各主要子行业产值对包装工业整体贡献率基本稳定。2015年纸质包装业产值约7,378亿元,约占包装行业总产值,是国内包装业产值贡献率***大子行业。全球制造业生产基地向亚洲的转移带动我国纸质印刷包装的快速发展,目前我国已基本形成了以长三角、珠三角及环渤海三大经济圈三足鼎立的竞争格局。从产值分布上看,根据包装联合会的统计,上述三大地区包装工业产值之和约占全国包装工业总产值的70%。(2)我国纸质印刷包装行业整体集中度偏低纸质印刷包装行业准入门槛较低,中小企业较多,属于充分竞争行业。徐州批发铝塑复合膜生产厂家。德州山东鸣展包装材料有限公司推荐产品

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